¹ÝµµÃ¼°¡½º
¹ÝµµÃ¼°¡½º
(Gases for Semicoductor Fabrication Process)
   ¹ÝµµÃ¼¿ë °¡½º´Â ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Æ¯¼ºÀ» ¸¸µé±â À§ÇÑ DOANT, ETCHANT, REACTANT, REACTANT, PURGE°¡½º µîÀ¸·Î ±¸ºÐµÇ¸ç
±× Á¾·ù°¡ ´Ù¾çÇÏ°í ´ëºÎºÐ µ¶¼ºÀ̸ç, ³ôÀº ¼øµµ¸¦ ¿ä±¸ ÇÕ´Ï´Ù.
¡Ü ÁÖ¿ä¹ÝµµÃ¼¿ë Ư¼ö°¡½ºÀÇ Á¾·ù ¹× Ư¼º
Á¾·ù ¸ôÁß·® ³¿»õ °ø±âÁß ¹ßÈ­·Â(%) µ¶¼º(ppm) ºÎ½Ä¼º
SiH4 32.118 ºÒÄèÇÑ ³¿»õ ÀÚ¿¬¹ßÈ­ 1.35~ O 5 X
SiF4 104.08 ÀÚ±ØÀû ³¿»õ ºñ¿¬¼Ò¼º - O 2.5(mgF)/m2 O
PH3 34 °í±â½â´Â ³¿»õ ÀÚ¿¬¹ßÈ­ 1.32~ O 0.3 X
BF3 67.82 ÀÚ±ØÀû ³¿»õ ºñ¿¬¼Ò¼º - O 0.3 O
NF3 71 ¹«Ãë Áö¿¬¼º - O 10 X
SF3 146.05/td> ¹«Ãë ºñ¿¬¼Ò¼º - X 1000 X
WF6 279.84 ÀÚ±ØÀû ³¿»õ ºñ¿¬¼Ò¼º - O 2.5(F)/m2 O
HCI 36.46 ÀÚ±ØÀû ³¿»õ ºñ¿¬¼Ò¼º - O 5 O
C2F6 138.012 ¹«Ãë ºñ¿¬¼Ò¼º - X X
CIF3 92.45 ºÒÄèÇÑ ³¿»õ Áö¿¬¼º - O 0.1 O
NH3 17.03 ÀÚ±ØÀû ³¿»õ Áö¿¬¼º 15.5~27 O 25 O
¡Ü ¿ëµµ
     - ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶»ê¾÷
     - ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶ ¿¬±¸¿ë
Copyright µ¿Çذ¡½º»ê¾÷ÁÖ½Äȸ»ç All Right Reserved.