»ê¾÷¿ë°¡½º °í¼øµµ°¡½º Ç¥ÁØ°¡½º ¹ÝµµÃ¼°¡½º È¥ÇÕ°¡½º ¾×È­¼®À¯°¡½º
¹ÝµµÃ¼°¡½º

¹ÝµµÃ¼°¡½º (Gases for Semicoductor Fabrication Process)

   ¹ÝµµÃ¼¿ë °¡½º´Â ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Æ¯¼ºÀ» ¸¸µé±â À§ÇÑ DOANT, ETCHANT, REACTANT, REACTANT, PURGE°¡½º µîÀ¸·Î ±¸ºÐµÇ¸ç ±× Á¾·ù°¡ ´Ù¾çÇÏ°í ´ëºÎºÐ µ¶¼ºÀ̸ç, ³ôÀº ¼øµµ¸¦ ¿ä±¸ ÇÕ´Ï´Ù.
¡Ü ÁÖ¿ä¹ÝµµÃ¼¿ë Ư¼ö°¡½ºÀÇ Á¾·ù ¹× Ư¼º
Á¾·ù ¸ôÁß·® ³¿»õ °ø±âÁß ¹ßÈ­·Â(%) µ¶¼º(ppm) ºÎ½Ä¼º
SiH4 32.118 ºÒÄèÇÑ ³¿»õ ÀÚ¿¬¹ßÈ­ 1.35~ O 5 X
SiF4 104.08 ÀÚ±ØÀû ³¿»õ ºñ¿¬¼Ò¼º - O 2.5(mgF)/m2 O
PH3 34 °í±â½â´Â ³¿»õ ÀÚ¿¬¹ßÈ­ 1.32~ O 0.3 X
BF3 67.82 ÀÚ±ØÀû ³¿»õ ºñ¿¬¼Ò¼º - O 0.3 O
NF3 71 ¹«Ãë Áö¿¬¼º - O 10 X
SF3 146.05/td> ¹«Ãë ºñ¿¬¼Ò¼º - X 1000 X
WF6 279.84 ÀÚ±ØÀû ³¿»õ ºñ¿¬¼Ò¼º - O 2.5(F)/m2 O
HCI 36.46 ÀÚ±ØÀû ³¿»õ ºñ¿¬¼Ò¼º - O 5 O
C2F6 138.012 ¹«Ãë ºñ¿¬¼Ò¼º - X X
CIF3 92.45 ºÒÄèÇÑ ³¿»õ Áö¿¬¼º - O 0.1 O
NH3 17.03 ÀÚ±ØÀû ³¿»õ Áö¿¬¼º 15.5~27 O 25 O
¡Ü ¿ëµµ
     - ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶»ê¾÷
     - ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶ ¿¬±¸¿ë
      º»»ç : ¿ï»ê±¤¿ª½Ã ³²±¸ »ê¾÷·Î 428 (¿©Ãµµ¿913-2¹øÁö)     T. 052-260-3311~7   F. 052-267-1141   E. donghae@dhgi.co.kr
Æ÷Ç×°øÀå : °æºÏ Æ÷Ç׽à ûÇÏ¸é µ¿ÇØ´ë·Î 2083 (¼Òµ¿¸® 525-5¹øÁö)     T. 054-256-3399   F. 054-241-3399
¿ïÁø°øÀå : °æºÏ ¿ïÁø±º Á׺¯¸é µ¿ÇØ´ë·Î 5069 (ÈÄÁ¤¸® 918-3¹øÁö)     T. 254-781-6661   F. 054-781-6663
Ư¼ö°¡½º2°øÀå : ¿ï»ê±¤¿ª½Ã ³²±¸ ½ÅµÎ¿Õ·Î 51 (µÎ¿Õµ¿ 769-4¹øÁö)     T. 052-260-3311   F. 052-267-1141
LPG»ç¾÷¼Ò : °æ»óºÏµµ ±ºÀ§±º ±ºÀ§À¾ ±Ý±¸¸® 676-1     T. 054-382-4122   F. 054-382-4122
Copyright µ¿ÇØ°¡½º»ê¾÷ÁÖ½Äȸ»ç All Right Reserved.