|
¹ÝµµÃ¼°¡½º (Gases for Semicoductor Fabrication Process) |
|
 |
|
¹ÝµµÃ¼¿ë °¡½º´Â ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Æ¯¼ºÀ» ¸¸µé±â À§ÇÑ DOANT, ETCHANT, REACTANT, REACTANT, PURGE°¡½º µîÀ¸·Î ±¸ºÐµÇ¸ç ±× Á¾·ù°¡ ´Ù¾çÇÏ°í ´ëºÎºÐ µ¶¼ºÀ̸ç, ³ôÀº ¼øµµ¸¦ ¿ä±¸ ÇÕ´Ï´Ù.
|
|
|
¡Ü ÁÖ¿ä¹ÝµµÃ¼¿ë Ư¼ö°¡½ºÀÇ Á¾·ù ¹× Ư¼º
|
Á¾·ù |
¸ôÁß·® |
³¿»õ |
°ø±âÁß ¹ßÈ·Â(%) |
µ¶¼º(ppm) |
ºÎ½Ä¼º |
|
SiH4 |
32.118 |
ºÒÄèÇÑ ³¿»õ |
ÀÚ¿¬¹ßÈ |
1.35~ |
O |
5 |
X |
|
SiF4 |
104.08 |
ÀÚ±ØÀû ³¿»õ |
ºñ¿¬¼Ò¼º |
- |
O |
2.5(mgF)/m2 |
O |
|
PH3 |
34 |
°í±â½â´Â ³¿»õ |
ÀÚ¿¬¹ßÈ |
1.32~ |
O |
0.3 |
X |
|
BF3 |
67.82 |
ÀÚ±ØÀû ³¿»õ |
ºñ¿¬¼Ò¼º |
- |
O |
0.3 |
O |
|
NF3 |
71 |
¹«Ãë |
Áö¿¬¼º |
- |
O |
10 |
X |
|
SF3 |
146.05/td>
| ¹«Ãë |
ºñ¿¬¼Ò¼º |
- |
X |
1000 |
X |
|
WF6 |
279.84 |
ÀÚ±ØÀû ³¿»õ |
ºñ¿¬¼Ò¼º |
- |
O |
2.5(F)/m2 |
O |
|
HCI |
36.46 |
ÀÚ±ØÀû ³¿»õ |
ºñ¿¬¼Ò¼º |
- |
O |
5 |
O |
|
C2F6 |
138.012 |
¹«Ãë |
ºñ¿¬¼Ò¼º |
- |
X |
|
X |
|
CIF3 |
92.45 |
ºÒÄèÇÑ ³¿»õ |
Áö¿¬¼º |
- |
O |
0.1 |
O |
|
NH3 |
17.03 |
ÀÚ±ØÀû ³¿»õ |
Áö¿¬¼º |
15.5~27 |
O |
25 |
O |
|
|
| |
¡Ü ¿ëµµ
- ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶»ê¾÷
- ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶ ¿¬±¸¿ë
|
|
|
|
|